[发明专利]一种紫外辐照接枝制备荷负电膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110398867.3 申请日: 2011-12-05
公开(公告)号: CN102512994A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 薛立新;赵秀兰;陶慷;聂锋;魏增斌 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: B01D71/68 分类号: B01D71/68;B01D71/52;B01D67/00;B01J19/12
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种紫外辐照接枝制备荷负电膜的方法,该方法选用主链或侧链带有羰基或磺酰基的高分子聚合物膜为基膜,结构式XCnF2nOCmF2mSO3-G+的含氟阴离子(其中,X为卤素离子,G为氢离子或金属离子,n、m是1到40的整数,包括1和40)为功能性荷电剂,利用紫外光辐照接枝的方法,将该功能性荷电剂接枝到基膜表面,得到荷负电膜,以改善基膜的性能。与现有技术相比,本发明提供的荷负电膜的制备方法不使用光引发剂,因而不存在引发剂残基引起的环境污染问题;同时,该制备方法具有工艺简单、操作方便、加工速度快、处理效果好的优点,因此是一种低成本、高效率、绿色环保的方法,具有广泛的工业化应用前景。
搜索关键词: 一种 紫外 辐照 接枝 制备 负电 方法
【主权项】:
一种紫外辐照接枝制备荷负电膜的方法,其特征是:包括如下步骤:步骤1:在溶剂中配制重量浓度为5%~60%的荷电剂溶液;所述的溶剂为丙酮、N‑甲基吡咯烷酮、甲醇、水、乙醇中的一种或几种;所述的荷电剂为含氟阴离子,其结构式为XCnF2nOCmF2mSO3‑G+,X为卤素离子,G为氢离子或金属离子,n、m是1到40的整数,包括1和40;步骤2:将主链或侧链带有羰基或磺酰基的基膜表面均匀覆盖一层步骤1得到的荷电剂溶液,然后放在紫外辐照光源下,在空气、氮气或惰性气体气氛中进行辐照接枝,使荷电剂接枝到基膜;步骤3:接枝反应完成后,洗涤除去基膜表面未反应的残留荷电剂和均聚物,得到荷负电膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所,未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110398867.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top