[发明专利]一种梯度纳米晶镀层的制备方法无效
申请号: | 201110399949.X | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN102400194A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 陈劲松;杨建明;乔斌 | 申请(专利权)人: | 淮海工学院 |
主分类号: | C25D5/10 | 分类号: | C25D5/10;C25D5/18;C25D3/38 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 陈扬 |
地址: | 222005 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种梯度纳米晶镀层的制备方法,该方法在基体表面上采用电沉积方法制备梯度纳米晶镀层:对基体表面进行表面处理;配置电解液;使用电沉积装置进行镀层加工,采用较低的电流密度,在基体表面上电镀晶粒尺寸较大的第1梯度纳米晶层;在其他电沉积参数保持不变的情况下,提高电流密度,在前期形成的第1梯度纳米晶层上再沉积一层新的第2纳米晶梯度层,重复操作,再加工下一层纳米晶镀层,直至最外层的纳米晶镀层的晶粒尺寸符合要求为止。本发明靠近基体的沉积层晶粒尺寸较大,靠近镀层表面的沉积层晶粒尺寸较小,降低了镀层与基体之间晶粒尺寸的差距,两者的相容性会变好,镀层的结合强度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 梯度 纳米 镀层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种梯度纳米晶镀层的制备方法,其特征在于:该方法在基体表面上采用电沉积方法制备梯度纳米晶镀层,具体操作步骤如下:1)对基体表面进行表面处理; 2)配置电解液; 3)使用电沉积装置进行镀层加工,采用较低的电流密度,在基体表面上电镀晶粒尺寸较大的纳米晶镀层,得到第1梯度纳米晶层; 4)在其他电沉积参数保持不变的情况下,提高电流密度,在前期形成的第1梯度纳米晶层上再沉积一层新的镀层,形成第2纳米晶梯度层,该第2纳米晶梯度层的晶粒尺寸比第1纳米晶梯度层的晶粒尺寸小;5)重复步骤4),再加工下一层纳米晶镀层,直至最外层的纳米晶镀层的晶粒尺寸符合要求为止,得到梯度纳米晶镀层。
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