[发明专利]一种互连结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110401441.9 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102403304A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赵宇航;康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种互连结构及其制作方法，采用牺牲层在互连介质之间形成空腔，使用碳纳米管作为局部互连的通孔互连材料，使用石墨烯纳米带作为金属线互连材料，互连介质中含有空腔，并使用传统CMOS后道铜互连技术应用在中间互连层次和全局互连层次中，可以有效地解决铜互连技术在局部互连尺寸较小时带来的高寄生电阻和寄生电容问题，其中通孔或接触孔内的碳纳米管和用于连接碳纳米管的石墨烯纳米带大幅度降低寄生电阻，互连介质中的空腔有效地降低层间寄生电容，同时石墨烯纳米带很薄，其连线之间的寄生电容也大幅度得到降低；本发明还兼容了现有的CMOS铜互连技术，有效地降低互连RC延迟，提高芯片性能，控制芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构，包括衬底上的互连介质，其特征在于：所述互连介质自下而上包括第一互连介质层和第二互连介质层，还包括贯穿第一互连介质层和第二互连介质层的多个接触孔或通孔，在所述接触孔或通孔内形成碳纳米管，所述第二互连介质层上有用于连接碳纳米管的石墨烯互连线，所述第一互连介质层和碳纳米管之间包括空腔，所述空腔顶部为第二互连介质，所述空腔底部为衬底。
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