[发明专利]准单晶硅片的外观检测方法无效

专利信息
申请号: 201110401575.0 申请日: 2011-12-07
公开(公告)号: CN102466646A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 钱峰;魏青竹;孙利国;任军林;陆俊宇;汪燕玲 申请(专利权)人: 江苏腾晖电力科技有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01B11/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215542 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种准单晶硅片的外观检测方法,其包括以下步骤:首先,将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格,令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n)。之后,将阵列通过网格线制作于一个透明基底,形成二维网格量尺。接着,将二维网格量尺与硅片四周边缘重合。随后,透过二维网格量尺的透明基底观察硅片表面,找出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布,并统计。最后,将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n),即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例,将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n),即为多晶晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。由此,可以快速评价准单晶硅片质量。并且,能够提高检测的准确率。
搜索关键词: 单晶硅 外观 检测 方法
【主权项】:
准单晶硅片的外观检测方法,其特征在于包括以下步骤:步骤①,将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格,令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n);步骤②,将n×n阵列,通过网格线制作于一个透明基底,形成二维网格量尺;步骤③,将二维网格量尺贴于准单晶硅片表面;步骤④,调整二维网格量尺的网格线外围四个边缘线,以与硅片四周边缘重合;步骤⑤,透过二维网格量尺的透明基底观察硅片表面,找出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布,并统计出单晶晶粒、多晶晶粒占据的网格数量;步骤⑥,将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n),即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例,将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n),即为多晶晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。
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