[发明专利]GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器有效
| 申请号： | 201110401751.0 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103151710A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王琦;贾志刚;郭欣;任晓敏;黄永清 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 应变 量子 及其 制备 方法 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括以下步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源以形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，以形成GaAs基含B高应变量子阱。
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