[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201110401835.4 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102568565B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 対马朋人;北川真;椎本恒则;中岛智恵子;吉原宏;小方宪太郎 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 褚海英,武玉琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储装置，其包括多个存储单元，每个存储单元包含第一电阻变化元件；以及读出电路，其通过比较从多个存储单元中选择的存储单元的电阻状态与基准存储单元的电阻状态，以判定第一电阻变化元件的电阻值的大小；其中，所述基准存储单元包含第二电阻变化元件，第二电阻变化元件相对于所施加电压的电阻值小于第一电阻变化元件在高电阻状态下的电阻值，并且第二电阻变化元件呈现出与第一电阻变化元件相同的电阻变化特性。本发明可精确地判定存储单元的电阻值大小，即，不考虑读出电压等级而判定所述状态是写入状态还是擦除状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种存储装置，其包括：多个存储单元，每个所述存储单元包含第一电阻变化元件；以及读出电路，其通过比较从所述多个存储单元中选择的存储单元的电阻状态与基准存储单元的电阻状态，以判定所述第一电阻变化元件的电阻值的大小，其中，所述基准存储单元包含第二电阻变化元件，所述第二电阻变化元件相对于所施加电压的电阻值小于所述第一电阻变化元件在高电阻状态下的电阻值，并且所述第二电阻变化元件呈现出与所述第一电阻变化元件相同的电阻变化特性，其中，所述第二电阻变化元件由与所述第一电阻变化元件相同的材料制成，其中，所述第一电阻变化元件依次具有第一电极、存储层以及第二电极，并且所述存储层的电阻值随着对所述第一电极和所述第二电极施加的电压而非线性地变化。
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