[发明专利]切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法

摘要

本发明涉及一种切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，该方法包括以下步骤：(1)对爆破开挖区划定周边轮廓线，并在主体爆破开挖区内布置微差爆破孔；(2)沿爆破开挖区周边轮廓线布置光面爆破孔；(3)在爆破开挖区周边轮廓线之内预留光面层靠主体爆破开挖区的一侧布置切槽爆破孔；(4)对切槽爆破孔进行切槽；(5)对切槽爆破孔进行爆破装药，并布设低段雷管；(6)对微差爆破孔进行爆破装药，并布设微差爆破雷管；(7)对光面爆破孔进行爆破装药，并布设高段雷管；(8)对微差爆破孔、切槽爆破孔和光面爆破孔进行堵塞；(9)连接起爆网路，实施爆破；(10)出渣；(11)重复上述步骤至开挖完毕。本发明在最大限度地减小对保留岩体损伤破裂的同时改善保留岩体壁面成形质量。

主权项

切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，包括以下步骤：(1)根据微差爆破设计要求对爆破开挖区划定周边轮廓线，并在主体爆破开挖区(4)内布置微差爆破孔；(2)沿所述爆破开挖区周边轮廓线布置光面爆破孔(7)；(3)在所述爆破开挖区周边轮廓线之内预留光面层(5)靠所述主体爆破开挖区(4)的一侧布置切槽爆破孔(1)；所述预留光面层(5)的厚度为：所述爆破开挖区周边将要形成的保留岩体壁面(6)与切槽爆破孔轴线构成的平面(3)之间的距离，即光面爆破的最小抵抗线；(4)利用切槽机械对所述切槽爆破孔(1)直径的两端切出V形槽(2)，该V形槽(2)所在的直径处在所述切槽爆破孔轴线构成的平面(3)内；所述切槽爆破孔轴线构成的平面(3)与所述保留岩体壁面(6)平行；(5)根据岩体的类型对所述切槽爆破孔(1)按不耦合系数1.5～2.5进行爆破装药，并布设低段雷管；其中所述岩体属于软岩时线装药密度为70～120g/m，所述岩体属于中硬岩时线装药密度为120～300g/m，所述岩体属于硬岩时线装药密度为300g/m～350g/m；(6)根据微差爆破设计要求对所述主体爆破开挖区(4)内的微差爆破孔进行爆破装药，并比所述切槽爆破孔(1)高二段开始隔段布设微差爆破雷管；(7)对所述光面爆破孔(7)按与所述切槽爆破孔(1)相同的装药不耦合系数、线装药密度、装药品种进行爆破装药，并比所述主体爆破开挖区(4)最高段高二段布设所述爆破雷管；(8)对所述主体爆破开挖区(4)内的微差爆破孔、所述切槽爆破孔(1)和所述光面爆破孔(7)进行堵塞；(9)连接起爆网路，实施一次起爆，进行微差爆破，即所述切槽爆破孔(1)低段雷管起爆，接着所述主体爆破开挖区(4)内的微差爆破孔隔段布设的雷管起爆，最后所述光面爆破孔(7)起爆；(10)出渣；(11)重复上述步骤(1)～(10)，直至开挖完毕。