[发明专利]一种大功率MOSFET驱动方法

摘要

本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法，TTL式的MOSFET驱动信号，光电隔离器U1的输入单元，输入到比较器U2的负端，信号经比较后，再经限流电阻R5，输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上，Q1与Q2的射极输出相联，然后经限流保护电阻R6，再驱动大功率MOSFET，注意，大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路，本发明具有驱动能力大，电气完全隔离，可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作，性能稳定可靠，尤其是在精密大电流闭环场合，更能发挥其控制优势。

主权项

本发明涉及一种大功率MOSFET驱动方法，具有以下特征：TTL式的 MOSFET驱动信号，经过低压电压和限流电阻R1，然后经光电隔离器U1的输入单元，实现输入信号的隔离，输出信号经过正电源，再经输出限流电阻R2，再经光电隔离器U1的输出单元，接入负地，这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源，经隔离输出的信号再通过限流电阻R3，输入到比较器U2的负端，注意，比较器U2的正端经电阻R3接到地，信号经比较后，再经限流电阻R5，输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上，Q1与Q2的射极输出相联，然后经限流保护电阻R6，再驱动大功率MOSFET，注意，大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路。