[发明专利]抬高源漏结构CMOS和Bipolar器件的集成方法

摘要

本发明公开了一种抬高源漏结构CMOS和Bipolar器件的集成方法，在传统浅沟槽隔离结构上形成栅极结构，侧墙刻蚀造成硅基板有一定的刻蚀量，用选择性外延在源漏区生长多晶硅形成抬高源漏区，再沉积介质膜把CMOS区域保护住。基极多晶硅刻蚀后，形成多晶硅侧墙，把CMOS区域介质膜去掉，保留多晶硅侧墙下的介质膜。利用发射极多晶硅作为抬高源漏区向STI区的扩展以及CMOS局部区域的连线，图形化后涂布一层填充材料，回刻填充材料以及源漏区域上方发射极多晶硅，刻蚀停止在介质膜。最后去除填充材料和刻蚀停止层，完成源漏注入以及后续接触孔和金属连线工艺。该方法可减小有源区到栅极的尺寸，增加单位面积晶体管数量；扩大工艺窗口；减小源漏寄生电容，改善短沟道效应。

主权项

一种抬高源漏结构CMOS和Bipolar器件的集成方法，其特征在于，这种方法包含以下步骤：步骤1，采用传统工艺形成具有浅沟槽隔离结构的栅极图形，然后形成栅极侧墙，栅极侧墙刻蚀造成部分硅基板损失；步骤2，在源漏区选择性外延生长多晶硅，形成抬高源漏区；步骤3，依次沉积介质膜及第一层多晶硅膜；步骤4，回刻第一层多晶硅膜，刻蚀停止在介质膜上，形成第一多晶硅膜侧墙；步骤5，去除部分介质膜，保留第一多晶硅侧墙下方的介质膜；步骤6，沉积第二层多晶硅膜，与第一多晶硅侧墙连接，和步骤2形成的抬高源漏区在浅沟槽隔离区和有源区交界处连接，在抬高源漏区正上方和第二层多晶硅膜侧壁下方由介质膜隔离；步骤7，使用光刻刻蚀工艺形成源漏扩展区域和局部连线图形，刻蚀停止在浅沟槽隔离区上面；步骤8，涂布填充材料，使栅极图形上方的填充材料厚度较薄，栅极图形旁边的填充材料厚度较厚；步骤9，回刻填充材料和第一多晶硅侧墙和第二多晶硅侧墙，填充材料较薄的区域全部打开，填充材料较厚的区域部分保留，刻蚀多晶硅侧墙停止在介质膜上；步骤10，去除填充材料和介质膜，进行源漏注入，并使用高温扩散工艺，使杂质扩散到硅基板中，形成浅的源漏结；步骤11，采用传统的金属硅化物形成工艺和接触孔工艺形成最终器件结构。