[发明专利]硅片的抛光方法无效
| 申请号： | 201110403658.3 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102423872A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 胡新东 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/302 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片的抛光方法，包括下列步骤：提供经过磨片处理后的硅片；在所述硅片的一面贴上保护膜；将贴有保护膜的硅片置于腐蚀液中，进行化学腐蚀；将保护膜去除，进行化学机械抛光；其中，化学腐蚀去除的硅片厚度占化学腐蚀和化学机械抛光去除的硅片总厚度的45％～55％。本发明化学腐蚀去除的硅片厚度占化学腐蚀和化学机械抛光去除的硅片总厚度的45％～55％，化学机械抛光只占总去除厚度的一半，且化学腐蚀后有了一个较为光滑的表面，所以由抛光机进行的化学机械抛光时间相对于传统技术大大缩短。硅片厚度均匀性受抛光机抛光过程中各种因素的影响就小，均匀性就好，且提高了抛光机的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的抛光方法，包括下列步骤：提供经过磨片处理后的硅片；在所述硅片的一面贴上保护膜；将贴有保护膜的硅片置于腐蚀液中，进行化学腐蚀；将保护膜去除，进行化学机械抛光；其中，化学腐蚀去除的硅片厚度占化学腐蚀和化学机械抛光去除的硅片总厚度的45％～55％。
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