[发明专利]纳米金属粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法有效
| 申请号： | 201110403731.7 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103151430B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 刘葳;金鹏 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于LED芯片制备领域，其公开了一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，包括如下步骤将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层表面；将LED芯片放置在纳米颗粒浆料上，并且使LED芯片背面的金属层与纳米颗粒浆料充分接触；无氧气氛下，对步骤S1进行低温回流处理，实现LED芯片与金属热沉的金属界面连接。本发明采用微纳米金属颗粒浆料作为热界面材料，可以与现有的封装设备与生产线相匹配，也就是说可以直接取代现有的Sn基焊料，(SnPb焊料、SnAgCu焊料等)，在较低的温度下获得LED晶片与金属热沉的金属界面连接，可以有效地降低生产成本、提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 金属 实现 led 低温 界面 连接 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，适用于倒装芯片,其特征在于，包括如下步骤：S1、将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层表面；S2、将经扩晶处理的LED芯片放置在金属热沉上，并使芯片背面的金属层与纳米金属颗粒浆料充分接触；S3、无氧气氛下，对步骤S2得到的产物进行低温回流处理，获得LED芯片与热沉的低热阻金属界面连接。
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