[发明专利]磁导率μ=26的低功耗铁硅铝合金材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110404623.1 申请日: 2011-12-08
公开(公告)号: CN102543345A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 柯昕 申请(专利权)人: 德清森腾电子科技有限公司
主分类号: H01F1/147 分类号: H01F1/147;H01F41/02;C22C38/40;C22C33/04;B22F9/04
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 王从友
地址: 313200 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及磁性材料的制备方法,尤其涉及一种磁导率μ=26的低功耗铁硅铝合金材料及其制备方法。磁导率μ=26的低损耗铁硅铝合金软磁材料,该铁硅铝合金软磁材料由铁硅铝粉末经过表面处理、压制成型和热处理制得,铁硅铝粉末中Si的重量含量为8.5%~10%,Al的重量含量为5%~6%,Ni的重量含量为0.5%-1%,Cr的重量含量为0.5%-1%,余量为Fe。本发明具有以下优点:1、制作工艺简单,使用设备简单;2、采用此种方法制作的产品,在保持良好的电感量,较高的品质因数的同时,提高了饱和磁感应强度;提高了直流偏置能力,并且降低了损耗值。
搜索关键词: 磁导率 26 功耗 铝合金 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
磁导率μ=26的低损耗铁硅铝合金软磁材料,该铁硅铝合金软磁材料由铁硅铝粉末经过表面处理、压制成型和热处理制得,其特征在于:铁硅铝粉末中Si的重量含量为8.5%~10%,Al的重量含量为5%~6%,Ni的重量含量为0.5%‑1%,Cr的重量含量为0.5%‑1%,余量为Fe。
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