[发明专利]存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110404641.X | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102569642A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金洸奭;郑佑仁;申在光;金起园;李成喆;皮雄焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 节点 包括 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁存储器件的存储节点，该存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在所述下磁性层上；以及自由磁性层，形成在所述隧道阻挡层上，并且其中磁化方向通过自旋电流转换，其中所述自由磁性层具有盖子结构，该盖子结构围绕形成在所述自由磁性层下面的材料层中的至少一个。
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