[发明专利]具有多层单元(MLC)数据存储能力的磁性存储单元有效
| 申请号： | 201110404708.X | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102479542A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | A·克利亚;Z·高;S·S·薛 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于将数据写至诸如自旋扭矩转移随机存取存储器(STRAM)存储单元之类的磁性存储元件的方法和装置。根据各实施例，多层单元(MLC)磁性存储单元叠层具有连接于第一控制线的第一和第二磁性存储元件以及连接于第二控制线的开关器件。第一存储元件并联于第二存储元件，而第一和第二存储元件串联于开关器件。第一和第二存储元件进一步设置在叠层内不同的非重叠高度上。编程电流在第一和第二控制线之间流过以同时将第一和第二磁性存储元件设定至不同编程的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 单元 mlc 数据 存储 能力 磁性 | ||
【主权项】：
一种装置，包括多层单元(MLC)磁性存储单元叠层，所述磁性存储单元叠层具有连接于第一控制线的第一和第二磁性存储元件以及连接于第二控制线的开关器件，所述第一存储元件并联于所述第二存储元件，所述第一和第二存储元件各自进一步串联于所述第一和第二控制线之间的开关器件并设置在所述叠层内的各非共面轴向高度上，其中编程电流在所述第一和第二控制线之间流动以同时将所述第一和第二磁性存储元件设定在不同的编程电阻。
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