[发明专利]无掩模光刻的剥离方法有效
| 申请号： | 201110404918.9 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102983068A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王宏钧;林子钦;郑年富;陈政宏;黄文俊;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种无掩模光刻的剥离方法。本发明涉及实施无掩模光刻工艺的方法。该方法包括接收用于集成电路(IC)器件的计算机布局文件。布局文件包括多个IC部分。该方法包括将计算机布局文件分为多个子文件。该方法包括使用多个计算机处理器同时分离多个子文件，从而生成多个分离的子文件。该方法包括将多个分离的子文件传送到无掩模光刻系统。 | ||
| 搜索关键词： | 无掩模 光刻 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供布局平面图；将所述布局平面图分割为多部分；对于所述布局平面图的所述多部分中的每个实施剥离工艺，从而生成所述布局平面图的多个剥离部分；以及将所述布局平面图的所述剥离部分发送给无掩模光刻装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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