[发明专利]反熔丝存储器及电子系统无效
| 申请号： | 201110405098.5 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102544011A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 庄建祥 | 申请（专利权）人： | 庄建祥 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 中国台湾新竹市东*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种反熔丝存储器及电子系统，反熔丝存储器积成于一集成电路中，包括：多个反熔丝元件，其中至少一个反熔丝元件建造在下列组合的交叉点上：多个主动区线掺有第一种类型的掺杂；多个多晶硅线掺有第二类的掺杂，且垂直于主动区线，其两侧无间隔的形成；主动区线和多晶硅线之间所制造的一层薄氧化膜；该反熔丝存储器的周边元件与该集成电路其他部分的核心逻辑或I/O元件相同，及该反熔丝存储器以第一个电源电压作用于主动区线上而第二个电源电压作用于多晶硅线上，用来击破交叉点上的薄氧化层时，如此配置，反熔丝存储器为可编程的。本发明基于两个相互垂直交叉导体之间的介电质击穿，且在标准CMOS逻辑工艺上以最少的外加步骤完成并适于嵌入式应用。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 存储器 电子 系统 | ||
【主权项】：
一种反熔丝存储器，该反熔丝存储器积成于一集成电路中，其特征在于，包括：多个反熔丝元件，其中至少一个反熔丝元件建造在下列组合的交叉点上：多个主动区线掺有第一种类型的掺杂；多个多晶硅线掺有第二类的掺杂，且垂直于主动区线，其两侧无间隔的形成；主动区线和多晶硅线之间所制造的一层薄氧化膜；该反熔丝存储器的周边元件与该集成电路其他部分的核心逻辑或I/O元件相同，及该反熔丝存储器以第一个电源电压作用于主动区线上而第二个电源电压作用于多晶硅线上，用来击破交叉点上的薄氧化层时，如此配置，反熔丝存储器为可编程的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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