[发明专利]异质浮动结背钝化的HIT太阳能电池结构及其制备工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是一种异质浮动结背钝化的HIT太阳能电池结构及其制备工艺，它在N型晶硅衬底的上表面和下表面均沉积P型非晶硅层形成异质P-N结结构，在下表面的异质P-N结结构上制作掩膜，进行选择性刻蚀，形成隔离的异质P-N结构结构，然后去除掩膜层在下表面继续沉积绝缘薄膜层，然后在绝缘薄膜层上制作掩膜，进行第二次选择性刻蚀，使得N型晶硅衬底下表面的异质P-N结结构的侧面和背面均被该绝缘薄膜层包围，形成浮动结背钝化结构，N型非晶硅背电极和P型非晶硅浮动结背钝化结构由绝缘薄膜层实现严格分离。相比三洋的HIT标准工艺和结构，本发明在N型晶硅背面引入了浮动P-N结背钝化结构，因而具有更低的表面复合速率，开路电压也更好。

主权项

一种异质浮动结背钝化的HIT太阳能电池结构，其特征在于：在N型晶硅衬底(1)的上表面及下表面局部设置P型非晶硅层(3)，形成异质P‑N结结构，下表面局部的异质P‑N结结构被一层绝缘薄膜层(5)隔离，构成异质P‑N浮动结背钝化结构，N型晶硅衬底(1)的下表面的背电极由设置在N型晶硅衬底(1)上的N型非晶硅层(6)构成，且背电极与异质P‑N浮动结背钝化结构互相电绝缘，在所述的N型晶硅衬底(1)上表面的异质P‑N结结构和N型晶硅衬底(1)的下表面的背电极上具有导电电极层。