[发明专利]降低层间介质层介电常数的方法有效
| 申请号： | 201110406978.4 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165517A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低层间介质层介电常数的方法：预先提供一表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和层间介质层的半导体衬底；对层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在第一刻蚀终止层上形成沟槽，在沟槽内填充金属铜形成当层金属互连层；在形成的当层金属互连层表面沉积第二刻蚀终止层；在第二刻蚀终止层表面形成图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层的开口内包括预定区域金属铜及金属铜间的层间介质层；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀第二刻蚀终止层；以第二刻蚀终止层为掩膜，回刻金属铜间的层间介质层至预定深度；在显露出的金属铜表面自动形成导电薄膜；去除金属铜间的剩余层间介质层，在金属铜间形成多个孔洞。本发明能够降低大尺寸器件的RC延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 介质 介电常数 方法 | ||
【主权项】：
一种降低层间介质层介电常数的方法，应用于半导体器件的后段工艺中，该方法包括：预先提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和层间介质层；对层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在第一刻蚀终止层上形成沟槽，并在沟槽内填充金属铜形成当层金属互连层；其特征在于，该方法还包括：在形成的当层金属互连层表面沉积第二刻蚀终止层；在第二刻蚀终止层表面形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层的开口内包括预定区域金属铜及金属铜间的层间介质层；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀第二刻蚀终止层；以第二刻蚀终止层为掩膜，回刻金属铜间的层间介质层至预定深度；在显露出的金属铜表面自动形成导电薄膜；去除金属铜间的剩余层间介质层，在金属铜间形成多个孔洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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