[发明专利]一种大功率白光LED倒装芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 201110407219.X | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102427107A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 祝进田 | 申请（专利权）人： | 祝进田 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 辽宁省长*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大功率白光LED倒装芯片，包括N型电极区和P型电极区，N型电极区依次包括衬底、缓冲层、N型层以及绝缘薄膜，P型电极区依次包括衬底、缓冲层、N型层、N型分别限制层、有源区层、P型分别限制层、P型层、P型欧姆接触层、光反射层以及绝缘薄膜，P型电极的一端穿过所述绝缘薄膜与N型层连接，N型电极的一端面穿过绝缘薄膜与所述光反射层连接，N型电极为阶梯结构使得其与P型电极存在相同锡焊面，在衬底表面涂有荧光粉。本发明于蓝宝石衬底一面先利用隐形切割技术对外延片进行切割，再借助光子晶体技术对其表面进行粗化，接着利用匀胶方法在其表面涂布荧光粉，直接制成大功率白光LED芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 白光 led 倒装 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种大功率白光LED倒装芯片，包括N型电极区(18)和P型电极区(17)，N型电极区(18)依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)以及绝缘薄膜(13)，P型电极区(17)依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、有源区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光反射层(9)以及绝缘薄膜(13)，P型电极(21)的一端穿过所述绝缘薄膜(13)与所述N型层(3)连接，N型电极(22)的一端面穿过所述绝缘薄膜(13)与所述光反射层(9)连接，N型电极(22)为阶梯结构使得其与P型电极(21)存在相同锡焊面，其特征在于：在所述衬底(1)表面涂有荧光粉(27)。
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