[发明专利]一种形成鳍式场效应管栅极侧壁层的方法有效
| 申请号： | 201110407321.X | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165425A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成鳍式场效应管FinFET栅极侧壁层的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上具有基体和栅极结构，所述基体为翅片结构，包括其中间延伸有沟道区域的源极区域和漏极区域，所述栅极结构围绕翅片结构中间的沟道区域表面，该表面包括沟道区域的侧壁和顶部；沉积介电层，所述介电层覆盖所述衬底、基体及栅极结构表面；对栅极结构侧壁的介电层进行离子注入，降低栅极结构侧壁介电层的刻蚀速率；干法刻蚀去除衬底和基体表面及栅极结构顶部的介电层，保留栅极结构侧壁的介电层，形成栅极侧壁层。采用本发明能够确保基体两侧没有侧壁层残留。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 场效应 栅极 侧壁 方法 | ||
【主权项】：
一种形成鳍式场效应管FinFET栅极侧壁层的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上具有基体和栅极结构，所述基体为翅片结构，包括其中间延伸有沟道区域的源极区域和漏极区域，所述栅极结构围绕翅片结构中间的沟道区域表面，该表面包括沟道区域的侧壁和顶部；沉积介电层，所述介电层覆盖所述衬底、基体及栅极结构表面；对栅极结构侧壁的介电层进行离子注入，降低栅极结构侧壁介电层的刻蚀速率；干法刻蚀去除衬底和基体表面及栅极结构顶部的介电层，保留栅极结构侧壁的介电层，形成栅极侧壁层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
