[发明专利]基于二进制组合的毫米波场效应晶体管参数化建模方法有效
| 申请号： | 201110407569.6 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102521447A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王燕;唐杨 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于二进制组合的毫米波场效应晶体管参数化建模方法，属于集成电路设计技术领域，该方法包括：制作多个晶体管总宽度成二进制比例关系的二进制基本单元版图；制作该基本单元的测试版图和用于去嵌入的标准结构的测试版图；通过流片得到测试样片并测量获取建模用的测试数据：采用直接提取方法得到对应的二进制基本单元版图的模型；建立用于连接二进制基本单元组合的引线显式参数化模型；合并二进制基本单元组合中对应的二进制基本单元模型和该二进制基本单元组合的引线显式参数化模型，得到毫米波场效应晶体管参数化模型。本发明可提高电路设计效率，进而缩短电路设计时间。较高精度的高频模型确保电路仿真的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二进制 组合 毫米波 场效应 晶体管 参数 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种基于二进制组合的毫米波场效应晶体管参数化建模方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)制作多个毫米波场效应晶体管总宽度成二进制比例关系的二进制基本单元版图；2)制作该二进制基本单元的测试版图和用于去嵌入的OPEN和SHORT标准结构的测试版图；通过流片得到测试样片并测量获取建模用的测试数据：3)根据所述的数测试数据采用直接提取方法得到对应的二进制基本单元版图的二进制基本单元的模型，该二进制基本单元的模型采用小信号等效电路模型；4)建立用于连接二进制基本单元组合的引线显式参数化模型；5)合并二进制基本单元组合中对应的二进制基本单元模型和该二进制基本单元组合的引线显式参数化模型，得到毫米波场效应晶体管参数化模型。
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