[发明专利]沟槽功率MOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110407734.8 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165669A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吴晶;左燕丽 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽功率MOS器件，其结构是，硅片外延层上形成有阱，阱内形成有源极重掺杂区，阱的掺杂类型同外延层及源极重掺杂区的掺杂类型相反，所述阱内形成有多个沟槽，沟槽壁上形成有绝缘栅氧化层，绝缘栅氧化层内底部填充多晶硅，顶部填充硅化钨到硅片上表面，硅化钨同与金属连线相连作为沟槽功率MOS器件栅极，沟槽内硅化钨的深度小于源极重掺杂区的深度。本发明还公开了一种沟槽功率MOS器件的制造方法。本发明的沟槽功率MOS器件栅极电阻低，工作频率高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽功率MOS器件，其特征在于，硅片外延层上形成有阱，阱内形成有源极重掺杂区，阱的掺杂类型同外延层及源极重掺杂区的掺杂类型相反，所述阱内形成有多个沟槽，沟槽壁上形成有绝缘栅氧化层，绝缘栅氧化层内底部填充多晶硅，顶部填充硅化钨到硅片上表面，硅化钨同与金属连线相连作为沟槽功率MOS器件栅极，沟槽内硅化钨的深度小于源极重掺杂区的深度。
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