[发明专利]钳位二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110407747.5 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165681A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 仲志华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种钳位二极管，在P型外延上生长有N型埋层，在所述N型埋层上形成有高压P型阱；在高压P型阱的两侧形成有同N型埋层连通的重掺杂N型引线层；高压P型阱上部的中间处形成有P型阱，高压P型阱上部同P型阱两侧相邻接分别形成有N型阱；P型阱中间部分上方形成有P型重掺杂区作为阳极有源接触区，N型阱中间部分上方形成有N型重掺杂区作为阴极有源接触区，N型阱外侧的高压P型阱上分别形成有P型重掺杂区作为P型隔离环有源接触区。本申请还公开了一种钳位二极管的制造方法。本申请使钳位二极管能实现自隔离功能，即当器件工作在正向导通区域时，可以提供一个大的驱动电流完成一个正向降压的功能并基本不形成对衬底的电流注入。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种钳位二极管，其特征在于，在P型硅衬底上生长有P型外延，在所述P型外延上生长有N型埋层，在所述N型埋层上形成有高压P型阱；在所述高压P型阱的两侧形成有同所述N型埋层连通的重掺杂N型引线层作为N型隔离环有源接触区；所述高压P型阱上部的中间处形成有P型阱，所述高压P型阱上部同所述P型阱两侧相邻接分别形成有N型阱；所述P型阱中间部分上方形成有P型重掺杂区作为阳极有源接触区，所述N型阱中间部分上方形成有N型重掺杂区作为阴极有源接触区，所述N型阱外侧的高压P型阱上分别形成有P型重掺杂区作为P型隔离环有源接触区。
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