[发明专利]SmCo5垂直磁化膜的双层结构底层材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110407886.8 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102522094A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;程伟明;刘文武;戴亦凡;王霄;程晓敏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/84 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SmCo5垂直磁化膜的双层结构底层材料，它包括依次设置在衬底上的Ti3W7层和Cu层，Ti3W7层厚度5～30nm，优选5nm，Cu层厚度50～500nm，优选100nm。制备方法为在衬底上沉积5～30nm的Ti3W7层；然后在Ti3W7层上沉积50～500nm的Cu层，制得Cu/Ti3W7双层结构底层材料。当采用溅射法进行沉积时：以Ar作为溅射气体对Ti3W7靶进行溅射，在衬底上沉积Ti3W7层；然后以Ar为溅射气体对Cu靶进行溅射，在Ti3W7层上沉积Cu层。本发明可以提高Cu底层晶粒沿（111）面择优取向生长并降低其表面粗糙度，从而可很好地引导和调控沉积在上面的SmCo5薄膜的(0001)面沿垂直膜面方向生长，显著地提高SmCo5薄膜的垂直磁性能，使SmCo5薄膜可更好用于高密度垂直磁记录领域。 | ||
| 搜索关键词： | smco sub 垂直 磁化 双层 结构 底层 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SmCo5垂直磁化膜的双层结构底层材料，其特征在于，它包括依次设置在衬底上的Ti3W7层和Cu层，Ti3W7层的厚度是5～30nm，Cu层的厚度是50～500nm。
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