[发明专利]一种低压大电流硅基薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201110408648.9 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102496643A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 孙晓宇;李毅 | 申请(专利权)人: | 深圳市创益科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所 44233 | 代理人: | 张艺影 |
地址: | 518029 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种内部并联低电压输出的硅基薄膜太阳能电池及制备方法,属于太阳能光电转换技术领域。主要技术特征前电极区域内的单元电池节,相同极性的共用电极和前电极预埋绝缘线及绝缘线之间的缺口,由预埋绝缘线外的透明导电膜连接各前电极区域内单元电池节构成内部并联、汇流及电压输出。本发明的积极效果,通过激光对前电极透明导电膜区域进行刻划,直接实现薄膜太阳能电池组件分区的内部并联,形成低电压高功率输出。便于后部封装控制层压工艺,以保障产品的耐候性。 | ||
搜索关键词: | 一种 低压 电流 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低压大电流硅基薄膜太阳能电池,基于硅基薄膜太阳能电池PIN结各单元电池节内部串联形成的电池组件结构,包括前电极及第一沟道和PIN结内部串联结构的第二、第三沟道,其特征在于还包括前电极区域内的单元电池节,相同极性的共用电极和前电极预埋绝缘线及绝缘线之间的缺口,由预埋绝缘线外的透明导电膜连接各前电极区域内单元电池节构成内部并联、汇流及电压输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市创益科技发展有限公司,未经深圳市创益科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110408648.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种路面温度信息记录仪及测量方法
- 下一篇:城市交通路况的采集方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的