[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110408970.1 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102569379A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 远藤浩;多木俊裕;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的第二半导体层而置于第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于栅极凹陷和第二半导体层的上方；栅极，置于栅极凹陷的上方，在栅极与栅极凹陷之间具有绝缘膜；源极和漏极，置于第一半导体层或第二半导体层的上方，其中，栅极凹陷的中心部分高于栅极凹陷的周边部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于所述第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的所述第二半导体层而被置于所述第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于所述栅极凹陷和所述第二半导体层的上方；栅极，置于所述栅极凹陷的上方，在所述栅极与所述栅极凹陷之间具有所述绝缘膜；以及源极和漏极，置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的上方，其中，所述栅极凹陷的中心部分高于所述栅极凹陷的周边部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110408970.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造太阳能电池的方法
- 下一篇：自动变速器
- 同类专利
- 专利分类
