[发明专利]制作立体神经微电极的方法无效
| 申请号： | 201110409793.9 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102512151A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 裴为华;赵辉;王宇;陈三元;汤戎昱;陈远方;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | A61B5/04 | 分类号： | A61B5/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制作立体神经微电极的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底正反面生长掩膜，并做对称图案化处理，得到微电极阵列的原始形状；步骤3：从衬底正反面同时刻蚀，将多余部分去除；步骤4：去除剩余的掩膜；步骤5：对上述步骤得到的结构，采用腐蚀的方法进行光滑和变尖处理，得到微电极阵列，该微电极阵列包括多个电极，该电极的尾端相连接；步骤6：在微电极阵列的表面生长金属层；步骤7：在微电极阵列表面的金属层上再生长绝缘层，并将连接点和记录点的绝缘层刻蚀掉。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 立体 神经 微电极 方法 | ||
【主权项】：
一种制作立体神经微电极的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底正反面生长掩膜，并做对称图案化处理，得到微电极阵列的原始形状；步骤3：从衬底正反面同时刻蚀，将多余部分去除；步骤4：去除剩余的掩膜；步骤5：对上述步骤得到的结构，采用腐蚀的方法进行光滑和变尖处理，得到微电极阵列，该微电极阵列包括多个电极，该电极的尾端相连接；步骤6：在微电极阵列的表面生长金属层；步骤7：在微电极阵列表面的金属层上再生长绝缘层，并将连接点和记录点的绝缘层刻蚀掉。
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