[发明专利]一种多位非挥发存储单元及阵列的编程方法无效
| 申请号： | 201110410001.X | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165188A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;刘璟;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多位非挥发存储单元的编程方法，在p型沟道多位非挥发存储单元的衬底和源端施加相同的正偏压，漏端接地，栅极施加编程脉冲电压，经过多个包括电子FN隧穿过程和沟道热电子注入过程的编程周期后编程为设定状态。相应地，本发明还提供了一种多位非挥发存储单元阵列的编程方法。本发明的编程方法形成存储单元阈值电压稳态的过程为自收敛过程，省去了常规编程方法的反复查证过程，有效提高了多位非挥发存储器的编程速度。通过对FN隧穿过程和沟道热电子注入过程的脉冲参数设置，可以使存储单元直接被编程到指定状态，提高了多位非挥发存储单元的编程精度，能同时兼顾编程速度和精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多位非 挥发 存储 单元 阵列 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种多位非挥发存储单元的编程方法，其特征在于，在p型沟道多位非挥发存储单元的衬底和源端施加相同的正偏压，漏端接地，栅极施加编程脉冲电压，经过多个编程周期后，多位非挥发存储单元编程为设定状态，其中，所述编程周期包括Fowler‑Nordheim隧穿过程和沟道热电子注入过程，所述Fowler‑Nordheim隧穿过程中栅极施加负编程脉冲电压VgFN，所述沟道热电子注入过程中栅极施加正编程脉冲电压VgCHEI，并且|VgFN|＞|VgCHEI|。
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