[发明专利]CMOS图像传感器

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器，感光结构包括PIN结和多晶硅栅。PIN结由三个横向排列的掺杂区组成，第二掺杂区为PIN结的I型区，多晶硅栅形成于第二掺杂区上方、且多晶硅栅和第二掺杂区间隔离有栅氧化层。多晶硅栅能使I型区的能带产生弯曲，从而能增加使I型区的光生电荷的转移能力，当I型区长度超过了光生电子或光生空穴的扩散长度时，也能使光生电子或光生空穴有效转移到N型区或P型区中，从而能降低光生电荷的转移在转移过程中的复合几率，能够增加感光区的光生电荷的转移效率，也能增加感光区的长度和有效感光面积，能够提高光响应率。

主权项

一种CMOS图像传感器，形成在半导体衬底上，其特征在于：CMOS图像传感器的像素单元电路包括感光结构、CMOS像素读出电路；所述感光结构包括一PIN结和一多晶硅栅；所述PIN结由三个横向排列的掺杂区组成，第二掺杂区为所述PIN结的I型区；第一掺杂区为P型区、位于所述第二掺杂区的一侧、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触连接；第三掺杂区为N型区、位于所述第二掺杂区的另一侧、所述第三掺杂区和所述第二掺杂区接触连接；所述多晶硅栅形成于所述第二掺杂区上方、且所述多晶硅栅和所述第二掺杂区间隔离有栅氧化层。