[发明专利]东亚砂藓配子体再生体系的建立方法有效

专利信息
申请号: 201110410347.X 申请日: 2011-12-12
公开(公告)号: CN102511393A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 沙伟;张梅娟 申请(专利权)人: 齐齐哈尔大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 齐齐哈尔鹤城专利事务所 23207 代理人: 叶仲刚
地址: 161006 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种东亚砂藓配子体再生体系建立的方法,包括以下顺序步骤:取经过适度培养后的东亚砂藓,自顶端往下依次剪成小段进行表面消毒,接种到常规MS培养基上进行培养,筛选得到无菌外植体;将无菌外植体转移到常规MS+30g/L蔗糖培养基上,诱导配子体产生原丝体;将产生的原丝体转移到扩繁培养基上培养50天,再将原丝体转移到诱导产生配子体的培养基上培养70天。本发明首次建立了东亚砂藓配子体再生体系的方法,方法简单,成本低,可在短时间内实现大量扩繁东亚砂藓配子体的目的,保证了后续实验的成功。
搜索关键词: 东亚 配子体 再生 体系 建立 方法
【主权项】:
一种东亚砂藓配子体再生体系建立的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)取适度培养后的东亚砂藓,自顶端往下依次剪成小段进行表面消毒,接种到培养基上进行培养,培养条件为:光照时间12h,光照度3000lux,培养温度20±2℃;(2)将步骤(1)得到的无菌外植体转移到诱导配子体产生原丝体的培养基上,培养条件:光照时间10‑14h,光照度3000‑6000lux,培养温度20±2℃;    (3)将步骤(2)得到的原丝体转移到原丝体扩繁培养基上,培养50天,培养条件为:光照时间12h,光照度3000 lux,培养温度15‑28℃;(4)将步骤(3)得到的原丝体转移到诱导配子体产生的培养基上,培养70天,培养条件为:光照时间12h,光照度3000 lux,培养温度20±2℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于齐齐哈尔大学,未经齐齐哈尔大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110410347.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top