[发明专利]东亚砂藓配子体再生体系的建立方法有效
申请号: | 201110410347.X | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN102511393A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 沙伟;张梅娟 | 申请(专利权)人: | 齐齐哈尔大学 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 齐齐哈尔鹤城专利事务所 23207 | 代理人: | 叶仲刚 |
地址: | 161006 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明公开了一种东亚砂藓配子体再生体系建立的方法,包括以下顺序步骤:取经过适度培养后的东亚砂藓,自顶端往下依次剪成小段进行表面消毒,接种到常规MS培养基上进行培养,筛选得到无菌外植体;将无菌外植体转移到常规MS+30g/L蔗糖培养基上,诱导配子体产生原丝体;将产生的原丝体转移到扩繁培养基上培养50天,再将原丝体转移到诱导产生配子体的培养基上培养70天。本发明首次建立了东亚砂藓配子体再生体系的方法,方法简单,成本低,可在短时间内实现大量扩繁东亚砂藓配子体的目的,保证了后续实验的成功。 | ||
搜索关键词: | 东亚 配子体 再生 体系 建立 方法 | ||
【主权项】:
一种东亚砂藓配子体再生体系建立的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)取适度培养后的东亚砂藓,自顶端往下依次剪成小段进行表面消毒,接种到培养基上进行培养,培养条件为:光照时间12h,光照度3000lux,培养温度20±2℃;(2)将步骤(1)得到的无菌外植体转移到诱导配子体产生原丝体的培养基上,培养条件:光照时间10‑14h,光照度3000‑6000lux,培养温度20±2℃; (3)将步骤(2)得到的原丝体转移到原丝体扩繁培养基上,培养50天,培养条件为:光照时间12h,光照度3000 lux,培养温度15‑28℃;(4)将步骤(3)得到的原丝体转移到诱导配子体产生的培养基上,培养70天,培养条件为:光照时间12h,光照度3000 lux,培养温度20±2℃。
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