[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制作方法：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有替代栅极结构的第一区域和具有多晶硅栅极结构的第二区域；沉积牺牲层，并进行化学机械研磨显露出替代栅极和多晶硅栅极；用光阻胶层遮挡第二区域，将替代栅极从掩埋的牺牲层中去除形成第一区域上的沟槽；沉积金属栅电极材料，并进行化学机械研磨显露出牺牲层，所述金属栅电极材料经化学机械研磨后位于第一区域上的沟槽内部；去除牺牲层；在多晶硅栅极上及第一区域和第二区域的有源区表面同时形成金属硅化物；沉积层间介质层，并进行化学机械研磨至预定厚度。采用本发明能够实现在同时具有金属栅电极和多晶硅栅极的半导体器件中只实施一次自对准金属硅化物工艺。

主权项

一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有替代栅极结构的第一区域和具有多晶硅栅极结构的第二区域；所述替代栅极结构至少包括在半导体衬底表面依次形成的高介电常数HK栅氧化层和替代栅极，位于替代栅极两侧的侧壁层，以及位于替代栅极两侧且在半导体衬底中的有源区；所述多晶硅栅极结构至少包括在半导体衬底表面依次形成的栅氧化层和多晶硅栅极，位于多晶硅栅极两侧的侧壁层，以及位于多晶硅栅极两侧且在半导体衬底中的有源区；沉积牺牲层，并进行化学机械研磨显露出替代栅极和多晶硅栅极；用光阻胶层遮挡第二区域，将替代栅极从掩埋的牺牲层中去除形成第一区域上的沟槽；沉积金属栅电极材料，并进行化学机械研磨显露出牺牲层，所述金属栅电极材料经化学机械研磨后位于第一区域上的沟槽内部；去除牺牲层；在多晶硅栅极上及第一区域和第二区域的有源区表面同时形成金属硅化物；沉积层间介质层，并进行化学机械研磨至预定厚度。