[发明专利]一种高速低功耗相变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201110410678.3 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102447061A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;陈莹;周文利 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高速低功耗相变存储器的制备方法，该方法采用具有相变速度快和热导率低的超晶格薄膜材料作为相变材料，利用电感耦合等离子干法刻蚀该材料，形成形貌优良、侧壁陡直、一致性好的相变存储器单元。步骤为：①清洗衬底；②依次沉积金属薄膜和绝缘层薄膜；③沉积超晶格薄膜相变材料；④涂胶、光刻形成光刻胶作为刻蚀掩膜；⑤用电感耦合等离子刻蚀设备刻蚀超晶格薄膜材料；⑥去除光刻胶掩膜；⑦依次沉积绝缘层薄膜和金属薄膜。本工艺充分利用电感耦合等离子干法刻蚀对超晶格相变薄膜材料刻蚀的各向异性、一致性等特点，使制备的相变存储器具有高速低功耗的性能，并能很好地应用到高密度集成和大规模产业化生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 功耗 相变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（a）清洗衬底；（b）依次沉积金属薄膜和绝缘层薄膜；（c）沉积超晶格薄膜，作为相变材料；（d）在超晶格薄膜上涂光刻胶、烘烤、曝光、显影形成光刻胶图形作为刻蚀掩膜；（e）用电感耦合等离子干法刻蚀超晶格薄膜材料；（f）去除光刻胶掩膜；（g）依次沉积绝缘层薄膜和金属薄膜。
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