[发明专利]采用脉冲电磁场制备ZnO纳米棒阵列的方法无效
申请号: | 201110410729.2 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN102515248A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 王建中;唐立丹;王冰;杜慧玲;齐锦刚;彭淑静;于景媛 | 申请(专利权)人: | 辽宁工业大学 |
主分类号: | C01G9/02 | 分类号: | C01G9/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121001 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种采用脉冲电磁场制备ZnO纳米棒阵列的方法,解决了ZnO纳米棒阵列长径比小、垂直度低的问题,其技术方案是:将FTO导电玻璃片放入超声波清洗器中清洗;将乙酸锌、乙醇胺和乙二醇甲醚的混合溶液滴到导电玻璃片上,用匀胶机涂覆均匀后置于管式加热炉中加热,制ZnO薄膜;将氯化锌溶于去离子水,配制前驱溶液,用氨水调pH值;将涂覆ZnO薄膜的FTO导电玻璃放入反应釜中,注入前驱溶液;用脉冲电磁场装置对反应釜中的反应体系施加脉冲电磁场处理,处理后将反应釜移入恒温箱进行水热反应,用去离子水冲洗掉玻璃片表面的白色沉淀物,放入恒温干燥箱中干燥,即得ZnO纳米棒阵列。该方法不使用表面活性剂,操作简单,能耗低,无污染。 | ||
搜索关键词: | 采用 脉冲 电磁场 制备 zno 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】:
采用脉冲电磁场技术制备ZnO纳米棒阵列的方法,其特征在于:1.1将FTO导电玻璃片放入温度为75~85℃的超声波清洗器中清洗4~6min后,取出用去离子水漂洗,在真空干燥箱中干燥4~6h;1.2用乙酸锌、乙醇胺和乙二醇甲醚配制混合溶液,其中乙二醇甲醚作为溶剂,乙酸锌与乙二醇甲醚的体积比分别为8:100~20:100,乙酸锌与乙醇胺的体积比为1:1~1:1.5,将配制的混合溶液滴到导电玻璃片上并涂覆均匀进行镀膜,所述的混合溶液滴加量与导电玻璃片面积的关系为0.25~1ml/100mm2,将涂覆有混合溶液的FTO导电玻璃片置于管式加热炉中,加热到280~340℃,保温7~15min,冷却至室温;1.3重复第二步3~5次,在FTO导电玻璃片上即得到ZnO薄膜;1.4将氯化锌溶入去离子水中,配制成浓度为0.10~0.20mol/L的前驱溶液,用氨水调节pH=9~10;将涂覆ZnO薄膜的FTO导电玻璃片放入反应釜中,用玻璃棒引流方式缓慢的将配制的前驱溶液注入到反应釜中,注入量为反应釜容积的2/3;1.5用电脉冲发生器对反应釜中的反应体系施加脉冲电磁场处理,脉冲电磁场处理时,脉冲时间为5~10min,脉冲电压为400~600V,脉冲频率为1~5Hz,处理后将反应釜移入恒温箱进行水热反应,温度为90~95℃,时间为3~5h,降温至室温后取出FTO导电玻璃片,用去离子水冲洗掉玻璃表面的白色沉淀物,放入恒温干燥箱中50~70℃保温2~3h,即得ZnO纳米棒阵列。
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