[发明专利]非易失性存储器以及其编程与读取方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储胞的结构。一第一隔离结构设置于一基底以及一半导体层之间，以形成一硅覆绝缘结构。第一掺杂区位于部份的半导体层中。一栅极设置在第一掺杂区上。一栅极介电层设置在栅极以及第一掺杂区之间。一第二掺杂区设置在半导体层中并位于第一掺杂区以外的区域。第二隔离结构设置在第一隔离结构上，其中第二隔离结构包围且直接接触第一掺杂区以及第二掺杂区。

主权项

一种可编程式非易失性存储胞，设置于一硅覆绝缘结构上，其特征在于包含：一基底；一第一隔离结构，设置于该基底上；一第一掺杂区，设置于该第一隔离结构上；一栅极，设置于该第一掺杂区上；一栅极介电层，设置于该第一掺杂区以及该栅极之间；一第二掺杂区，设置于该第一隔离结构上，其中该第二掺杂区与该第一掺杂区直接接触并与该第一掺杂区形成一P‑N接面；以及一第二隔离结构，设置于该第一隔离结构上，其中该第二隔离结构包围且直接接触该第一掺杂区以及该第二掺杂区。