[发明专利]寄生效应对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法无效
| 申请号： | 201110411223.3 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102520020A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李全立;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种寄生效应对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法。本发明在固定偏压、扫描频率时提取各频率下对应的寄生电阻和电容并对测试结果进行修正，具体步骤如下：把MOSCAP偏置在强积累区进行频率扫描测试，得到一系列频率下的寄生电阻和电容参数；再把MOSCAP偏置在耗尽区，以一致的频率扫描设置进行测试；用前者得到的各频率下的寄生参数修正后者对应频率下的测试数据；最后计算电导法对界面态的表征结果。本发明在TiN/HfO2/GeON/p-Ge电容结构上进行了实际验证。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 效应 电导 表征 ge 衬底 界面 产生 干扰 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种寄生电阻和电容对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法，其特征在于具体步骤如下：（1）把MOSCAP偏置在强积累区进行频率扫描测试，得到一系列频率下的寄生电阻和电容参数；（2）把MOSCAP偏置在耗尽区，以同步骤（1）中一致的频率扫描设置进行测试；（3）用步骤（1）中得到的各频率下的寄生参数修正步骤（2）中对应频率下的测试数据；（4）用步骤（3）中修正后的数据计算电导法对界面态的表征结果。
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