[发明专利]一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液无效
| 申请号： | 201110411364.5 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102516879A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王良咏;刘卫丽;宋志棠;刘波;钟旻 | 申请（专利权）人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、电化学腐蚀抑制剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述电化学腐蚀抑制剂的含量为0.0001-10wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著抑制化学机械抛光过程中相变材料发生电化学腐蚀，从而大大改进相变材料图形片化学机械抛光工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 相变 材料 电化学 腐蚀 抛光 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、电化学腐蚀抑制剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1‑30wt％，所述电化学腐蚀抑制剂的含量为0.0001‑10wt％。
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