[发明专利]多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法有效
申请号: | 201110412636.3 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN102446721A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 汤益丹;申华军;白云;李博;周静涛;刘焕明;杨成樾;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/266 | 分类号: | H01L21/266;G06F17/50 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法包括用归一法计算出单能离子注入浓度下降速率与离开平均投影射程的关系因子,根据所需掺杂浓度分布及采用能量组合个数,确定选用单能离子注入的关系因子,确定能量组合;利用经验因子和经验公式的反推方法确定能量组合中单个能量的剂量值,并通过剂量微调形成各高、低浓度掺杂段的箱型掺杂浓度分布;将箱型掺杂浓度分布通过引入掩蔽牺牲层设计实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化,消除箱型注入分布前拖尾,形成拐点处陡直的箱型掺杂浓度分布;将各掺杂段箱型掺杂浓度分布,去除掩蔽牺牲层,通过线性叠加成阶梯状掺杂浓度分布,通过微调各掺杂段台阶处剂量完成阶梯状掺杂浓度分布的陡直性设计。 | ||
搜索关键词: | 多能 离子 注入 实现 阶梯 掺杂 浓度 分布 方法 | ||
【主权项】:
一种多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法,其特征在于,包括:采用归一法计算出单能离子注入浓度下降速率与离开平均投影射程的关系因子,根据所需掺杂浓度分布及采用的能量组合个数,确定选用单能离子注入的关系因子,从而确定能量组合;利用经验因子和经验公式的反推方法确定所述能量组合中单个能量的剂量值,并通过剂量微调形成各高、低浓度掺杂段的箱型掺杂浓度分布;将所述箱型掺杂浓度分布通过引入掩蔽牺牲层设计实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化,从而消除箱型注入分布前拖尾,形成拐点处陡直的箱型掺杂浓度分布;及将各掺杂段箱型掺杂浓度分布,去除掩蔽牺牲层,通过线性叠加成阶梯状掺杂浓度分布,再通过微调各掺杂段台阶处的剂量完成阶梯状掺杂浓度分布的陡直性设计。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造