[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，发射区和基极引出端都是由填充于形成于基区上方的窗口中的多晶硅组成。本发明无需多加光刻版，使发射区和基极引出端同时由多晶硅构成，有利于注入离子的均匀扩散并能形成高浓度的发射区和基极引出端，能提供器件的发射效率、放大系数和截止频率也能得到很大的提升。本发明通过采用深孔接触和赝埋层引出集电区，能有效地缩小器件面积、减小器件的寄生效应、减小集电极电阻、提高器件的特征；还能提高器件的电流增益系数以及改善器件的频率特征。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及其制造方法，无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。

主权项

一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；一赝埋层，由形成于所述集电区周侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层和所述集电区在所述浅槽场氧底部相接触，通过在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极；一基区，由形成于所述有源区中且位于所述集电区上部的一N型离子注入区组成，所述基区和所述集电区相接触；一发射区窗口介质层，形成于所述有源区上并延伸到所述有源区周侧的所述浅槽场氧上；所述发射区窗口介质层被部分刻蚀掉后定义出发射区窗口和基极引出窗口；所述发射区窗口位于所述有源区的正上方、且所述发射区窗口的尺寸小于所述有源区尺寸，所述发射区窗口将所述基区露出；所述基极引出窗口位于所述发射区窗口两侧、且所述基极引出窗口和所述有源区有交叠并将所述基区露出；在所述发射区窗口和所述基极引出窗口中都填充有多晶硅，该多晶硅顶部并不延伸到所述发射区窗口介质层上；所述发射区窗口中的多晶硅为P型掺杂并组成发射区，所述基极引出窗口中的多晶硅为N型掺杂并组成基极引出端；在所述发射区上形成有金属接触引出发射极；在所述基极引出端上形成有金属接触引出基极。