[发明专利]MOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层外侧的锗硅多晶硅层上形成金属接触来引出源漏极的。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能做到最小，从而能提高器件的性能和集成度。本发明能减少源漏区和衬底间的寄生电容，能更适合的应用在RF领域。本发明的源漏掺杂区的结深较浅，能够降低短沟道效应和缓解较严重的LOD效应。本发明还公开了一种MOS器件的制造方法，能充分解决工艺中的刻蚀停止方面的难题和优化栅极和源漏间的隔离问题；能减少金属层数，能降低整个BICMOS工艺的成本。

主权项

一种MOS器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，在整个所述有源区中形成有第二导电类型的阱区；栅极由依次形成于所述有源区上的栅氧化硅层和栅多晶硅层组成；被所述栅极所覆盖的所述阱区为沟道区，其特征在于：源漏区形成于所述栅极的两侧且包括源漏掺杂区和源漏多晶硅层，所述源漏掺杂区形成于所述栅极两侧的所述有源区中，所述源漏多晶硅层位于所述栅极两侧的所述有源区上方并延伸到所述浅槽场氧上，所述源漏掺杂区和所述源漏多晶硅层相接触且都为第一导电类型掺杂；在所述源漏多晶硅层外侧的所述浅槽场氧上形成有第一导电类型掺杂的锗硅多晶硅层，所述锗硅多晶硅层和所述源漏多晶硅层的侧面相接触，所述锗硅多晶硅层和所述浅槽场氧间隔离有第一阻挡氧化膜；在所述锗硅多晶硅层上形成有金属接触，该金属接触和所述锗硅多晶硅层接触并引出源漏极。