[发明专利]一种CuCr合金触头材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110412822.7 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102522241A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;王光月;曾飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01H11/04 | 分类号： | H01H11/04;H01H1/025 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CuCr合金触头材料及其制备方法。该方法包括如下步骤：(1)采用物理气相沉积在自转的基片上沉积Cu膜；(2)启动Cr组元的沉积，并保持Cr组元的相对沉积速率梯度增长，在所述Cu膜上沉积CuCr合金膜a；所述Cr组元的相对沉积速率为Cr组元的沉积速率与Cu组元的沉积速率的比值，所述Cr组元的沉积速率为单位元面积的所述基片上单位时间内沉积的Cr质量；所述Cu组元的沉积速率为单位元面积的所述基片上单位时间内沉积的Cu质量；(3)保持Cr组元的相对沉积速率不变，在所述CuCr合金膜a上继续沉积CuCr合金膜b，然后在真空条件下经原位退火即得。本发明采用物理气相沉积的方法制备了高强度、高导电、高耐电弧侵蚀的CuCr合金触头材料，同时该方法可以节约能源和原材料的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cucr 合金 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CuCr合金触头材料的制备方法，包括如下步骤：(1)采用物理气相沉积在自转的基片上沉积Cu膜；(2)采用物理气相沉积，启动Cr组元的沉积，并保持Cr组元的相对沉积速率增长，在所述Cu膜上沉积CuCr合金膜a；所述Cr组元的相对沉积速率为Cr组元的沉积速率与Cu组元的沉积速率的比值，所述Cr组元的沉积速率为单位面积的所述基片上单位时间内沉积的Cr质量；所述Cu组元的沉积速率为单位面积的所述基片上单位时间内沉积的Cu质量；(3)采用物理气相沉积，保持Cr组元的相对沉积速率不变，在所述CuCr合金膜a上继续沉积CuCr合金膜b，然后在真空条件下经原位退火即得所述CuCr合金触头材料。
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