[发明专利]一种回收多晶硅副产物四氯化硅的方法无效
| 申请号： | 201110413144.6 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102807221A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 陈敏东 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 张立荣 |
| 地址： | 210044 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供回收多晶硅副产物四氯化硅的方法，循环使用离子液，方便高效回收SiCl4（回收率：97%以上），消除多晶硅副产物四氯化硅所产生的危害，使四氯化硅资源化。在微波辐射条件下合成一系列1-烷基-3-甲基咪唑离子液体，利用离子液体对气体的吸附特性，将性质稳定的咪唑类离子液体作为吸收剂对SiCl4进行吸收。离子液吸附饱和后，通过加热并抽真空使SiCl4气体从离子液中释放出来，达到回收SiCl4的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 回收 多晶 副产物 氯化 方法 | ||
【主权项】：
一种回收多晶硅副产物四氯化硅的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：取1‑烷基‑3‑甲基咪唑离子液体，加入容器；步骤2：将多晶硅生产线产生的四氯化硅废液，除去水分并加热，使废液中的SiCl4以气体方式从废液中溢出，通入上述装有离子液体的容器中吸收，吸收温度0‑20℃，待吸附饱和停止；步骤3：对吸附饱和的离子液再次进行加热，加热温度120‑150℃，将吸收的四氯化硅解析出来，并通过冷阱装置回收SiCl4。
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