[发明专利]一种对可重构VLSI阵列构造低温子阵列的方法在审
申请号: | 201110413475.X | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN103164551A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 武继刚;孙学梅;张晶;孙宝山;朱渊博 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 刘明华 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供了一种对可重构VLSI阵列构造低温子阵列的方法,属于VLSI阵列的温度控制领域。所述方法首先使用贪心的选路方法对一个含有故障单元的VLSI阵列H按照从左到右的方式进行重构,得到一个最大无故障逻辑阵列MTA;然后将最大无故障逻辑阵列MTA中的所有逻辑列进行温度优化,得到新的低温逻辑列,由所述新的低温逻辑列构成了最大低温子阵列MLTA。本发明首次提出了重构低温子阵列的概念,通过对由主阵列得到的最大无故障逻辑阵列MTA进行温度的优化,使得重构以后的处理器阵列的温度最低,提高了系统性能,降低了系统的温度,延长了电路的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 可重构 vlsi 阵列 构造 低温 方法 | ||
【主权项】:
一种对可重构VLSI阵列构造低温子阵列的方法,其特征在于:所述方法首先使用贪心的选路方法对一个含有故障单元的VLSI阵列H按照从左到右的方式进行重构,得到一个最大无故障逻辑阵列MTA;然后对最大无故障逻辑阵列MTA中的所有逻辑列进行温度优化,得到新的低温逻辑列,最后由所述新的低温逻辑列构成了最大低温子阵列MLTA;所述含有故障单元的VLSI阵列H中的故障包括硬故障和软故障,所述硬故障是指VLSI芯片在加工制造或在使用中造成的不可修复的物理故障,软故障是指处理单元超过其最大临界工作温度而导致的暂时故障。
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