[发明专利]（001）晶面暴露的混晶型纳米TiO2的制备方法无效
| 申请号： | 201110414153.7 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102515270A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 潘春旭;张豫鹏;张峻 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00;B01J21/06 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种（001）晶面暴露的混晶型纳米TiO2的制备方法，包括以下步骤：1）将钛酸四丁酯、NH4F和HF经混合均匀得到反应体系；2）将步骤1）所得反应体系于150-200℃温度下反应10-24小时；3）将步骤2）所得产物经洗涤、干燥，即可得到（001）晶面暴露的混晶型纳米TiO2。本发明方法工艺简单、易于控制、生产效率高，采用本发明方法所制备的（001）晶面暴露的混晶型纳米TiO2的光催化性能得到大大提高，在光催化领域具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 001 暴露 混晶型 纳米 tio sub 制备 方法 | ||
【主权项】：
（001）晶面暴露的混晶型纳米TiO2的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将钛酸四丁酯、NH4F和HF经混合均匀得到反应体系；2）将步骤1）所得反应体系于150‑200℃温度下反应10‑24小时；3）将步骤2）所得产物经洗涤、干燥，即可得到（001）晶面暴露的混晶型纳米TiO2。
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