[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110415277.7 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102569413A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张锡明 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、源极、漏极及光阻挡层。栅绝缘层覆盖栅极。氧化物半导体层配置于栅绝缘层上且位于栅极上方。源极与漏极配置于部分的氧化物半导体层上。光阻挡层位于氧化物半导体层上方，且包括第一绝缘层、紫外线滤除层及第二绝缘层。第一绝缘层配置于氧化物半导体层上。紫外线滤除层配置于第一绝缘层上。第二绝缘层配置于紫外线滤除层上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一氧化物半导体层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方；一源极与一漏极，配置于部分的该氧化物半导体层上；以及一光阻挡层，位于该氧化物半导体层上方，包括：一第一绝缘层，配置于该氧化物半导体层上；一紫外线滤除层，配置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，配置于该紫外线滤除层上。
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