[发明专利]在高压NPN三极管中集成中压NPN三极管的方法

摘要

本发明公开了一种在高压NPN三极管中集成中压NPN三极管的方法，包括步骤：提供一半导体衬底并形成浅沟槽和有源区；在各有源区两侧的浅沟槽的底部形成赝埋层；在中压NPN三极管区域进行磷离子注入；进行退火推进，磷离子通过横向和纵向扩散将中压NPN三极管的有源区两侧赝埋层在有源区的底部连接起来；高压NPN三极管的有源区两侧的赝埋层在有源区的底部不连接；形成高压NPN三极管和中压NPN三极管。本发明能降低中压NPN三极管的集电区的离子注入导致的掺杂散布，同时提高中压NPN三极管的集电区的底部的掺杂浓度，从而能优化中压NPN三极管的器件性能。

主权项

一种在高压NPN三极管中集成中压NPN三极管的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上分为高压NPN三极管区域和中压NPN三极管区域；采用光刻刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽隔离出有源区；步骤二、采用N型离子注入工艺在各有源区两侧的所述浅沟槽的底部形成赝埋层；步骤三、采用光刻刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成一光刻胶图形，所述光刻胶图形将所述中压NPN三极管区域打开、将所述高压NPN三极管区域覆盖并保护起来；利用所述光刻胶图形为掩模，采用离子注入工艺在所述中压NPN三极管区域进行磷离子注入；去除所述光刻胶图形；步骤四、对所述赝埋层和所述磷离子注入的杂质进行退火推进，磷离子通过横向和纵向扩散将所述中压NPN三极管的有源区两侧所述赝埋层在所述有源区的底部连接起来；所述高压NPN三极管的有源区两侧的所述赝埋层在所述有源区的底部不连接；步骤五、在所述高压NPN三极管区域和所述中压NPN三极管区域中都采用相同的工艺步骤并分别形成高压NPN三极管和中压NPN三极管。