[发明专利]制作鳍形场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201110415437.8 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165455A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作鳍形场效应晶体管的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有矩形的凸起和包围所述凸起的牺牲层，所述凸起包括位于所述半导体衬底上的硅鳍片和位于所述硅鳍片上的材料层，所述硅鳍片是由硅形成的，所述材料层的至少与所述晶体管的源漏区对应的部分是由锗硅形成的；b)在所述凸起和所述牺牲层上形成保护层；c)执行锗扩散工艺，以使所述材料层中的锗向其下方的所述硅鳍片中扩散；d)去除所述硅鳍片以上的部分；以及e)去除所述牺牲层，以形成锗硅鳍片。根据本发明的方法可以保证形成的锗硅鳍片尺寸满足要求，避免出现桥连现象。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制作鳍形场效应晶体管的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有矩形的凸起和包围所述凸起的牺牲层，所述凸起包括位于所述半导体衬底上的硅鳍片和位于所述硅鳍片上的材料层，所述材料层的至少与所述晶体管的源漏区对应的部分是由锗硅形成的；b)在所述凸起和所述牺牲层上形成保护层；c)执行锗扩散工艺，以使所述材料层中的锗向其下方的所述硅鳍片中扩散；d)去除所述硅鳍片以上的部分；以及e)去除所述牺牲层，以形成锗硅鳍片，所述锗硅鳍片与所述硅鳍片具有相同的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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