[发明专利]一种具有紫外屏蔽性能的纳米CeO2薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种制备具有紫外屏蔽性能的纳米CeO2薄膜的方法，其技术方案是：取一定量的十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）加入环己烷中，并用环己烷定容，配制CTAB—环己烷混浊液，将其加入到Ce(NO3)3·6H2O溶液中，滴加异丙醇至溶液澄清，得涂膜用微乳液；将洗净的基片渍入涂膜用微乳液中采用浸渍提拉法涂膜，煅烧，即制得纳米CeO2薄膜。该方法工艺简单，操作容易，所用设备少，制得的薄膜连续、均匀、透明度高，对230nm～370nm的紫外线均有吸收。

主权项

一种具有紫外屏蔽性能的纳米CeO2薄膜的制备方法，其特征是：1.1取一定量的十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）加入环己烷中，并用环己烷定容，配制CTAB—环己烷混浊液，所述的CTAB—环己烷混浊液中CTAB的含量为0.7g/20mL～4.5g/20mL，将其加入到浓度为0.1mol/L～0.9mol/L的Ce(NO3)3·6H2O溶液中，所述的CTAB—环己烷混浊液与Ce(NO3)3·6H2O溶液的体积比为4:1；滴加异丙醇至溶液澄清，得涂膜用微乳液；1.2将基片用硫酸浸泡10min~90min，取出后用去离子水清洗，100℃下干燥1h~4h，所述的基片是玻璃片或石英片；1.3采用浸渍提拉法涂膜，将洗净的基片以30mm/min～90mm/min的速度浸渍入涂膜用微乳液中，停留20s～90s，以与浸渍入涂膜用微乳液相同的速度提拉出来，在80℃～120℃下干燥5min～20min；连续浸渍提拉覆膜1次～8次；1.4涂膜结束后的基片在400℃～700℃下煅烧1h～5h，冷却至室温后，即制得纳米CeO2薄膜。