[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110416092.8 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102569380A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 镰田阳一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/43;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;郑特强 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件包括：化合物半导体层，布置在所述化合物半导体层上方的栅电极，以及栅极绝缘膜。栅极绝缘膜插入在所述化合物半导体层与所述栅电极之间。所述栅极绝缘膜至少在与所述化合物半导体层交界的界面附近包含氟化合物。本发明通过减少栅极绝缘膜中的悬空键，使阈值电压的变化得到抑制，并且因而实现了具有高晶体管特性的高度可靠的化合物半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；栅电极，布置在所述化合物半导体层上方；以及栅极绝缘膜，插入在所述化合物半导体层与所述栅电极之间，所述栅极绝缘膜至少在与所述化合物半导体层交界的界面附近包含氟化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110416092.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
