[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201110416204.X | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102637801A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 樊英民;王建峰;刘争晖;钟海舰;任国强;蔡德敏;徐耿钊;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括具有第一导电类型的半导体衬底、半导体衬底表面的有源层、以及有源层表面的具有第二导电类型的半导体覆盖层，所述半导体覆盖层与有源层相对的一表面上设置有电极；所述半导体覆盖层表面上的电极包括石墨烯层与金属层，所述石墨烯层设置在金属层与半导体覆盖层之间，用以改善金属层与半导体材料之间的欧姆接触。本发明的优点在于，通过插入石墨烯层，不需要退火或刻蚀等工艺处理即可极大地改变半导体材料的表面电子态，从而减小任意金属或合金与半导体之间接触势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括具有第一导电类型的半导体衬底、半导体衬底表面的有源层、以及有源层表面的具有第二导电类型的半导体覆盖层，所述半导体覆盖层与有源层相对的一表面上设置有电极；其特征在于，所述半导体覆盖层表面上的电极包括石墨烯层与金属层，所述石墨烯层设置在金属层与半导体覆盖层之间，用以改善金属层与半导体材料之间的欧姆接触。
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