[发明专利]界面势垒测量装置及测量界面势垒的方法有效
| 申请号： | 201110416217.7 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102520213A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 樊英民;钟海舰;徐耿钊;刘争晖;曾雄辉;周桃飞;邱永鑫;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01Q60/00 | 分类号： | G01Q60/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供多层半导体材料界面势垒测量装置及测量多层半导体界面势垒方法，属于半导体测试领域，该半导体装置包括一真空腔、一导电样品台、一扫描探针显微镜、一金属气源产生装置和一聚焦离子束显微镜系统；并且在该方法中，对多层结构的半导体样品，可以利用该半导体装置的聚集离子显微镜系统进行部分表面剥离，再原位沉积电极，然后用扫描探针显微镜进行测量；本发明解决了现有技术中只能测量表层缺陷而无法测量多层异质界面缺陷的问题，本发明采用逐层解剖，逐层测量的方法，极大的提高了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 界面 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多层半导体材料界面势垒的测量装置，其特征在于，所述测量装置包括一真空腔、一导电样品台、一扫描探针显微镜、一金属气源产生装置和一聚焦离子束显微镜系统；所述导电样品台、扫描探针显微镜、金属气源产生装置和聚焦离子束显微镜系统置于所述真空腔体内；所述聚集离子束显微镜系统包括一离子束产生装置；所述离子束产生装置产生离子束用于剥离半导体材料；所述金属气源产生装置产生金属气源，用于配合所述离子束产生装置产生的离子束实施沉积金属电极；所述扫描探针显微镜包括第一导电扫描探针与第二导电扫描探针，所述两导电扫描探针用于和半导体材料表面接触并测量导电扫描探针和半导体材料表面之间的接触电势差。
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